Absolutne !!
850Evo 4x nm [!!!!!!!!!!!!!!!!!] 3D [!!!!!!] ma MINIMALNE 1000 NASOBNU schopnost zapisov ako 2D [!!!!!!!] 19nm [!!!!!!!!!!!!!!!!] 840Evo. Pozri si ako sa menila garancia prepisov bunky so zmensovanim technologie a prirataj k tomu daleko mensie ovplyvnovanie v pripade 3D s 24 alebo 32 vrstvami.
Napriklad
http://www.anandtech.com/show/8216/sams ... e-3d-era/2
The graph above outlines historic rate of how cell to cell intereference increases through die shrinks. At 90nm, the interference was only around 8-9% but at 20nm it is a rather significant 40%. The interference means that 40% of the capacitive coupling comes from the other cells, making it very hard to control the gate you are trying to program or read.
neuveritelne... precitat prvu, druhu, tretiu stranu kto ma zaujem.
Spolahlivost, ako bolo naznacene naspodu predchadzajucej strany, je komplexnejsia vec. MLC, TLC, toto by som neriesil, je to nejake delenie ale neriesis ci je rychlejsi benzin alebo diesel respektive aku maju zapalnu teplotu, riesis ine veci.
Ako bolo povedane, [nech uz je to cokolvek xLC] Samsung 850Evo ma najvacsiu vydrz zapisov udavanu a GARANTOVANU vyrobcom a ZAROVEN pocas najdlhsieho obdobia (neviem ci nejake SSD z toho zoznamu ma dlhsiui ako 5 rocnu zaruku a vobec mi to zily netrha pretoze po 5 rokoch je hodnota takehoto tovaru minus nula). Neznamena to ze nutne musi byt najviac spolahlivy - tato vec je proste loteria, ale Samsung garantuje 5 rokov a najviac zapisov. Pokazit sa moze aj rovna zelezna kolajnica.
PS: ked uz sme pri tych zapisoch, Samsung ako jediny pouziva 3D technologiu a to s vyrobnym procesom 40nm alebo 45nm, zase ako som uz pisal o stranu dopredu. Kedze vsetci ostatni pouzivaju 1x nm technologiu, 19nm, 18nm, 16nm, taketo prďáky kde sa rataju doslova a dopismena atomy, pozrite si analyzu Anadtechu vratane obrazkov mikroskopu - v dosledku tohoto ma Samsung absolutne vsetky predpoklady na to, aby namiesto vyrobcom garantovanych 150TB zapisov vydrzal MNOHOTISICNASOBNE [!!!] viac v realite, kdezto vsetky 2D technologie vydrzia radovo maximalne DESATNASOBOK garancie. Ukazuje to kazdy test na internete, napriklad experiment techreport.com kde 256GB kapacity diskov zapisali priblizne 700 az 2000 TB pri garancii vyrobcov zhruba 50 az 90TB, cize radovo desatnasobok, urcite nie stonasobok. To mame radovo 3.000 az 10.000 prepisov kazdej bunky, uplne v subehu s ocakavanim podla vyrobneho procesu.
Vsetky povodne 2D 45nm/50nm technologie ked existovali mali garancie 100.000 prepisov, takze vydrzia radovo 500.000 az 1.000.000 prepisov v realite. Prihodte k tomu 3D vrstvenie kedy dochadza k ukrutne mensiemu ovplyvnovaniu "vedlahjsich" buniek kedze vedlajsi v tomto vyzname znamena ukrutne vzdialeny horny partner... a bavime sa kludne radovo o 10.000.000 prepisoch na bunku. Namiesto 10.000 co vydrzi 15nm 2D technologia. Samsung tvrdil pri 128GB 850 modeloch ze v labakoch zabili 8000 TB zapisov a furt bezali v plnom zdravi - nikto to neotestoval pretoze sa to casovo neda zvladnut, Samsung vsak nie je politicka scena ktora si musi nasrat do huby. Takze to mame REALNYCH 62.500 prepisov na bunku (matematika : 8000TB x 1000GB = 8.000.000 GB deleno 128GB kapacita SSD = 62.500 prepisov kazdej bunky bez akejkolvek write amplification, takze v pohode mozeme mat 150.000 az 200.000 prepisov v realite podla toho ako sa zapisovalo). 62.500 zapisov do kazdej bunky. Akakolvek 2D technologia je garantovane mrtva pri 5.000 zapisoch (techreport.com experiment a kazdy iny na internete, zase zdoraznujem ze to je uplne presne podla ocakavani danych vyrobnym procesom). Uz len v tomto sa bavime MINIMALNE o 20x vyssom pocte prepisov na kazdu bunku co dosiahla 3D technologia.
A vobec, na keru marju toto riesite pri SSDcku za 80eur ?
Ked chces technologicky najlepsi disk z HENTOHO vyberu, chces 850Evo. Bez debaty.